说明：AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但是在高温工作寿命就需要，温度循环与温度冲击，其试验目的与手法不一样，在温度循环中高低温变化需控制温变率，温冲击则不用，偏高湿度就是俗称的高温高湿试验，而湿度抵抗就是湿冷冻试验
试验条件注意事项：1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测
高温储存(MIL-STD-202-108)：薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h
电感、变压器、电阻：125℃/1000h
变阻器：150℃/1000h
钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：大额定温度/1000h
高温工作寿命(MIL-STD-202-108)：
网络低通滤波器、网络电阻：85℃/1000h
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/1000h/施加额定IL
钽电容、陶瓷电容：大额定温度/1000h/(2/3)负载/额定电压
铝电解电容、电感、变压器：105℃/1000h
薄膜电容：1000h/(85℃/125%额定电压、105℃&125℃/百分额定电压)
自恢复保险丝：125℃/1000h
电阻、热敏电阻、可变电容：125℃/1000h/额定电压
可变电阻：125℃/1000h/额定功率
变阻器：125℃/1000h/额定电压85％+ma电流
陶瓷共鸣器：85℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
石英震荡器：125℃/1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
温度循环(JEDEC22A-104)
薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻：-55℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
铝电解电容：-40℃(30min)←→105℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
网络低通滤波器、网络电阻：-55℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
温度冲击(MIL-STD-202-107)：
自恢复保险丝：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles
偏高湿度(MIL-STD-202-103)：
钽电容、陶瓷电容：85℃/85%R.H./1000h/电压1.3～1.5V
电感&变压器：85℃/85%R.H./1000h/不通电
铝电解电容：85℃/85%R.H./1000h/额定电压
EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压＆电流
电阻、热敏电阻：85℃/85%R.H./1000h/工作电源10%
自恢复保险丝：85℃/85%R.H./1000h/额定电流10%
可变电容、可变电阻：85℃/85%R.H./1000h/额定功率10%
网络低通滤波器&网络电阻：85℃/85%R.H./1000h/电压[网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)]
变阻器：85℃/85%R.H./1000h/额定电压85％+ma电流
石英震荡器、陶瓷共鸣器：85℃/85%R.H./1000h/额定VDD+1MΩ，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容
薄膜电容：40℃/93%R.H./1000h/额定电压
湿度抵抗(MIL-STD-202-106)
薄膜电容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电