电磁干扰：任何可能引起电子装置、设备或系统性能下降甚至失效，或者对生命或无生命物质产生损害的电磁现象称为电磁干扰(EMI)。几乎每一种电子设备都产生不同程度的电磁干扰信号，它是一种不希望存在的电磁信号。这种信号可能以电磁辐射的形式辐射出来，也可能通过载流导体，如电源线、电缆等，进行传输。同样，几乎所有的电子设备对其它电子设备产生的干扰信号都很敏感。电磁干扰的产生必须具备电磁干扰源、对电磁干扰敏感的电子装置和电磁干扰的耦合通路三个要素。
电磁干扰源分为自然界和人为两种。自然界的电磁干扰主要是雷击产生的大气噪声(<10MHz)和宇宙射线、太阳射线引起的大气噪声(>10MHz)。人为电磁干扰源分为有意和无意两种，前者是指那些必须发射电磁波的电子设备，如调频波、调幅波、电视、广播发射机以及雷达和移动无线通讯机等；后者是指那些工作时产生无用的电磁干扰信号的电子设备，如计算机设备、继电器、开关、荧光照明灯、电弧焊机以及点火装置等。容易受到电磁干扰影响的电子装置有通讯接收机(收音机、电视机等)、雷达、导航设备、计算机等，特别是这些电子装置中的电源，对电磁干扰更是十分敏感。
电磁干扰对电气、电子设备或系统，特别是对含有半导体器件的设备或系统会产生严重的破坏作用。
1.高压击穿：
当器件接收电磁能量后可转化为大电流，在高阻处也可转化为高电压，结果可引起接点、部件或回路间的电击穿，导致器件损坏或瞬时失效。例如，脉宽为0.1微秒、电流幅值为1A的电流脉冲，可在1PF的电容接点上产生100KV电压，该接点被击穿后还会产生数百KHz的衰减正弦波振荡，并辐射出电磁波。
2.器件烧毁或受瞬变干扰：
除高压击穿外，器件因瞬变电压造成短路损坏的原因一般都归结于功率过大而烧毁，或PN结的电压过高而击穿，无论是集成电路、存储器还是晶体管、二极管、晶闸管等都是一样的。大多数半导体器件的Z低损坏的有效功率为1微秒、10瓦特或10uJ,一些敏感器件为1微秒、1瓦特或1uJ。一般硅晶体管的E极和B极之间的反向击穿电压为2~5V,而且它还随温度的升高而下降，干扰电压很容易使其损坏。
关于半导体器件损坏或受瞬变干扰的过程还可能出现以下几种情况：
a)所有CMOS器件都用氧化膜绝缘或用它保护集成电路中的不同元器件，但氧化膜的厚度只有几微米，一旦电压超过氧化膜的绝缘强度便会将它击穿，造成短路。
b)当电流通过PN结时，由于电流的不均匀往往会烧毁镀敷的金属导体，造成开路。
c)出现因瞬变电压的能量尚不足以立即损坏器件，但会使其性能下降，影响功能，丢失数据，产生误动作，使半导体器件进入不能自动复原的导通状态（也称为死机）；而切断电源重新开机后又恢复正常工作。
d)器件存在潜伏性的损毁现象，即器件的反复经受瞬变电压的冲击，每次都使性能降低一些，累积起来后会在某天使产品出现灾难性的损坏。以整流二极管为例，在经受很高的瞬变电压之后，二极管的反向漏电流会增加。每经受一次冲击，反向漏电流会增加一些，表面看来设备仍能工作，性能没有明显变化，但发热增加，到Z后终会因偶然的一个瞬变电压而导致二极管烧毁。这种潜伏性损毁在半导体器件中是屡见不鲜的，半导体器件在制造时产生的缺陷也会造成潜伏性损毁。对于无源器件，瞬变电压也同样会使其烧毁或性能降低，如降低耐压值和额定工作电压以及其他电气性能。
3.浪涌冲击：
对有金属屏蔽的电子设备，即使壳体外的微波能量不能直接辐射到设备内部，但是在金属屏蔽壳体上感应的脉冲大电流，像浪涌一样在壳体上流动，壳体上的缝隙、孔洞、外露引线一旦将一部分浪涌电流引入壳内电路，就足以使内部的敏感器件损坏。
4.影响电路正常工作传递：
电磁干扰对低压电子电路也有较大影响。对模拟电路的影响随干扰强度的增大而增大，直接影响电路的工作性能和参数；对数字电路，电磁干扰容易导致信号电平的变化，从而影响数据链传输的准确性。