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半导体器件可靠性测试环境试验

发布时间:2024-02-26        浏览次数:63        返回列表
前言:半导体器件,可靠性,环境试验
半导体器件可靠性测试环境试验

    在器件使用的自然环境中,温度和湿度是不可分割的两个因素。不同地区,器件应用于不同的地理位置,所处工作环境的温度、湿度也各不相同。温湿度循环试验可以用来确认产品在温湿度气候环境条件下储存、运输以及使用适应性。

    环境试验的试验范围很广,包括高温,低温,温度冲击(气态及液态),浸渍,温度循环,低压,高压,高压蒸煮,砂尘,盐雾腐蚀,霉菌,太阳辐射等。

    下面举几个常见的温湿度试验:

    1.偏压湿热(THB)。测试条件:85℃,85%湿度,一般试验时间为1000h。参考测试标准JESD22-A101

    2.高加速应力试验(HAST)。测试条件:133℃,85%湿度,偏压250kPa,一般试验时间为96h。参考测试标准:JESD22-A110

    3.无偏压高加速应力试验(UHST)。测试条件:110℃,85%湿度。一般试验时间为264h。参考测试标准:JEDSD22-A118

    THB/HAST可造成的器件影响:

    (1)加速水分的侵入和杂质移动

    (2)影响电化学敏感的区域,例如die表面粘结垫发生腐蚀。

    (3)器件周边结果发生腐蚀

    (4)水分通过缝隙、裂纹进入器件影响内部

    4.高压蒸煮(AC)。测试条件:121℃,百%湿度,一般试验时间为96h。参考测试标准:JEDS22-A102。

    5.无偏压湿热(TH)。测试条件:85℃,85%湿度,一般试验时间为1000h。参考测试标准:JEDS22-A101。

    设备能力:

    温度0~200(℃);湿度0~100(%RH)

    常规条件:

    PPOT:121℃,100%RH,205kpa(2atm),Nobias

    UHST:130℃,85%RH,250kPa,Nobias

    试验常见的器件失效情况:键合处腐蚀,形成树突。

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